IPL60R105P7AUMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL60R105P7AUMA1 por Infineon y IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL60R105P7AUMA1 IPD60R360P7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Encapsulado PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 9 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 360 mOhm (typ, VGS = 10 V)
Power Dissipation (PD) at TC — 41 W
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.0 V to 4.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Encapsulado / Carcasa — PG-TO252-3 (DPAK)
Número de pines — 3

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