IPL60R105P7AUMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 比較
詳細な並列比較: IPL60R105P7AUMA1 メーカー: Infineon および IPD60R360P7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IPL60R105P7AUMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.82 | $0.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| パッケージ | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ピン数 | — | 3 |