IPL60R105P7AUMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R105P7AUMA1 por Infineon e IPD60R360P7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R105P7AUMA1 IPD60R360P7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 9 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 360 mOhm (typ, VGS = 10 V)
Power Dissipation (PD) at TC — 41 W
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.0 V to 4.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK)
Número de pinos — 3

Fichas técnicas e recursos

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