IPL60R105P7AUMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R105P7AUMA1 par Infineon et IPD60R360P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R105P7AUMA1 IPD60R360P7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Boîtier PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 9 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 360 mOhm (typ, VGS = 10 V)
Power Dissipation (PD) at TC — 41 W
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.0 V to 4.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK)
Nombre de broches — 3

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