IPL60R105P7AUMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPL60R105P7AUMA1 от Infineon и IPD60R360P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPL60R105P7AUMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,82 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Корпус | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Количество выводов | — | 3 |