IPLU300N04S41R1XTMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPLU300N04S41R1XTMA1 por Infineon y IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPLU300N04S41R1XTMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,45 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPLU300N04S41R1XTMA1 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS (Trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 W —
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) 1.15 mΩ —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 151 nC —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) 12,090 pF —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Temperatura de unión de funcionamiento 175 °C —
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) 260 °C —
Encapsulado PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Configuration Single with built-in diode —
Packing Tape & Reel (TR) —
Series — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes
Estado RoHS — Compliant

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