IPLU300N04S41R1XTMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPLU300N04S41R1XTMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N04S6N028ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPLU300N04S41R1XTMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.45 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPLU300N04S41R1XTMA1 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS (Trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 W —
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) 1.15 mΩ —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 151 nC —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) 12,090 pF —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
동작 접합 온도 175 °C —
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) 260 °C —
패키지 PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Configuration Single with built-in diode —
Packing Tape & Reel (TR) —
Series — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes
RoHS 상태 — Compliant

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