IPLU300N04S41R1XTMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPLU300N04S41R1XTMA1 por Infineon e IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPLU300N04S41R1XTMA1 | IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,45 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPLU300N04S41R1XTMA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (Trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 300 A | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 300 W | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) | 1.15 mΩ | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 151 nC | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) | 12,090 pF | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Temperatura de junção de operação | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature (AEC-Q) | 260 °C | — |
| Encapsulamento | PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | Yes (Green Product) | — |
| Lead-Free | Yes (100% lead-free) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Packing | Tape & Reel (TR) | — |
| Series | — | OptiMOS 6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 400 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 2.8 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 1.5 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 62 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes |
| Status RoHS | — | Compliant |