IPLU300N04S41R1XTMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPLU300N04S41R1XTMA1 par Infineon et IAUC100N04S6N028ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPLU300N04S41R1XTMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,45 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPLU300N04S41R1XTMA1 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS (Trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 W —
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) 1.15 mΩ —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 151 nC —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) 12,090 pF —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Température de jonction en fonctionnement 175 °C —
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) 260 °C —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Configuration Single with built-in diode —
Packing Tape & Reel (TR) —
Series — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes
Statut RoHS — Compliant

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