IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFH5015TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP069N20NM6AKSA1 por Infineon y IRFH5015TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP069N20NM6AKSA1 IRFH5015TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,10 $0,62
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A 10 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ max)

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