IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFH5015TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPP069N20NM6AKSA1 제조: Infineon 및 IRFH5015TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPP069N20NM6AKSA1 | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.10 | $0.62 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 136 A | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 15.3 A | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 6.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | — |
| 패키지 | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | N/A (through-hole package) | — |
| Tab Connection | Electrically connected to Drain | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C (TJ max) |