IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFH5015TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP069N20NM6AKSA1 par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP069N20NM6AKSA1 IRFH5015TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,10 $0,62
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A 10 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Type de montage Through Hole Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ max)

Fiches techniques et ressources

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