IR2101STRPBF vs IR2101PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon y IR2101PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2101STRPBF IR2101PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,78
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent Half-Bridge (High and Low Side)
Number of Drivers 2 2 (High-Side + Low-Side)
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulado 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Through-Hole
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Nivel MSL MSL 3 —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Número de salidas — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Packaging — Tube

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