IRF7389PBF vs IRF7389TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7389PBF por Infineon y IRF7389TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7389PBF IRF7389TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $0,58
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Encapsulado SO-8 (SOIC-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: full operating temperature range] —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
Nivel MSL — 1
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

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