IRF7389PBF vs IRF7389TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7389PBF por Infineon e IRF7389TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7389PBF IRF7389TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,58
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Encapsulamento SO-8 (SOIC-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: full operating temperature range] —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
Temperatura de operação — -55C to +150C
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
Nível MSL — 1
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fichas técnicas e recursos

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