IRF7389PBF vs IRF7389TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7389PBF par Infineon et IRF7389TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7389PBF IRF7389TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,58
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET HEXFET Generation V (IR MOSFET)
Boîtier SO-8 (SOIC-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: full operating temperature range] —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
Température de fonctionnement — -55C to +150C
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
Niveau MSL — 1
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fiches techniques et ressources

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