IRFP250MPBF vs IRFP2907PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFP250MPBF por Infineon y IRFP2907PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFP250MPBF IRFP2907PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,55 $2,45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP250MPBF IRFP2907PBF
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado / Carcasa TO-247AC (3-pin + tab) —
Tipo de montaje Through Hole —
Número de pines 3 —
Avalanche Rated Yes Yes (repetitive avalanche rated)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

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