IRFP250MPBF vs IRFP2907PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP250MPBF par Infineon et IRFP2907PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP250MPBF IRFP2907PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,55 $2,45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP250MPBF IRFP2907PBF
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier / Format TO-247AC (3-pin + tab) —
Type de montage Through Hole —
Nombre de broches 3 —
Avalanche Rated Yes Yes (repetitive avalanche rated)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Fiches techniques et ressources

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