IRFP250MPBF vs IRFP2907PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFP250MPBF por Infineon e IRFP2907PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFP250MPBF IRFP2907PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,55 $2,45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP250MPBF IRFP2907PBF
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento / Caixa TO-247AC (3-pin + tab) —
Tipo de montagem Through Hole —
Número de pinos 3 —
Avalanche Rated Yes Yes (repetitive avalanche rated)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL 1 (unlimited) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Fichas técnicas e recursos

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