IRFR9024NTRPBF vs IRF7309TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR9024NTRPBF por Infineon y IRF7309TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR9024NTRPBF IRF7309TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,17 $0,35
Polarity P-Channel N+P
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Corriente de drenador pulsada [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) IR HEXFET Generation V
Estado RoHS Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ)
Nivel MSL — MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

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