IRFR9024NTRPBF vs IRF7309TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR9024NTRPBF メーカー: Infineon および IRF7309TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR9024NTRPBF IRF7309TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.17 $0.35
Polarity P-Channel N+P
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) IR HEXFET Generation V
RoHS ステータス Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
動作温度範囲 — -55C to +150C (TJ)
MSLレベル — MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

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