IRFR9024NTRPBF vs IRF7309TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR9024NTRPBF 제조: Infineon 및 IRF7309TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR9024NTRPBF IRF7309TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.17 $0.35
Polarity P-Channel N+P
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK) 8-SO (SOIC-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) IR HEXFET Generation V
RoHS 상태 Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
동작 온도 범위 — -55C to +150C (TJ)
MSL 레벨 — MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

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