IRFR9024NTRPBF vs IRF7309TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9024NTRPBF par Infineon et IRF7309TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR9024NTRPBF IRF7309TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,17 $0,35
Polarity P-Channel N+P
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Courant de drain pulsé [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) IR HEXFET Generation V
Statut RoHS Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Niveau MSL — MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

Fiches techniques et ressources

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