IRFR9024NTRPBF vs IRF7309TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR9024NTRPBF por Infineon e IRF7309TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR9024NTRPBF | IRF7309TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,17 | $0,35 |
| Polarity | P-Channel | N+P |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc=25C) | -11 A | — |
| Corrente de dreno pulsada | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | ±20 V | — |
| VGS(th) (Threshold Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.7 nC | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | 38 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | 8-SO (SOIC-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 | — |
| Technology | HEXFET (Gen 5) | IR HEXFET Generation V |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) | — | 4 A |
| Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) | — | 3 A |
| On-Resistance (N-channel, max) | — | 50 mOhm |
| On-Resistance (P-channel, max) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 1.4 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C (TJ) |
| Nível MSL | — | MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Status | — | Yes (TRPBF suffix = Pb-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel |