IRLU3410PBF vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLU3410PBF por Infineon y BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLU3410PBF BSC074N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,36 $1,45
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU3410PBF —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C 12 A —
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 105 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic level —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado I-PAK (TO-251AA), through-hole SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
RoHS / Lead-Free Compliant (Pb-free) —
HEXFET Generation Fifth generation —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

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