IRLU3410PBF vs BSC074N15NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLU3410PBF от Infineon и BSC074N15NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLU3410PBF | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,36 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLU3410PBF | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | 12 A | — |
| Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 105 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 79 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic level | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | I-PAK (TO-251AA), through-hole | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| Тип монтажа | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant (Pb-free) | — |
| HEXFET Generation | Fifth generation | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Body Diode | — | Integrated |