IRLU3410PBF vs BSC074N15NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IRLU3410PBF メーカー: Infineon および BSC074N15NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLU3410PBF IRLU3410PBF - 100V 17A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLU3410PBF - 100V 17A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLU3410PBF ✓ 生産中
Infineon
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLU3410PBF BSC074N15NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $1.45
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU3410PBF —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C 12 A —
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 105 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic level —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ I-PAK (TO-251AA), through-hole SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
実装タイプ Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
RoHS / Lead-Free Compliant (Pb-free) —
HEXFET Generation Fifth generation —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼