IRLU3410PBF vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLU3410PBF par Infineon et BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLU3410PBF BSC074N15NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $1,45
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU3410PBF —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C 12 A —
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 105 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic level —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier I-PAK (TO-251AA), through-hole SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Type de montage Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
RoHS / Lead-Free Compliant (Pb-free) —
HEXFET Generation Fifth generation —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

Fiches techniques et ressources

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