IRLU3410PBF vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLU3410PBF por Infineon e BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLU3410PBF BSC074N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $1,45
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU3410PBF —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C 12 A —
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 105 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic level —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento I-PAK (TO-251AA), through-hole SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
RoHS / Lead-Free Compliant (Pb-free) —
HEXFET Generation Fifth generation —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

Fichas técnicas e recursos

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