IRS2101STRPBF vs IR2101STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2101STRPBF por Infineon y IR2101STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2101STRPBF IR2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $0,68
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Non-Inverting
Number of Drivers 2 2
Número de salidas 2-OUT —
Configuración de salida Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Estado RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Nivel MSL — MSL 3

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización