IRS2101STRPBF vs IR2101STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2101STRPBF por Infineon e IR2101STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2101STRPBF IR2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $0,68
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Non-Inverting
Number of Drivers 2 2
Número de saídas 2-OUT —
Configuração de saída Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulamento 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Status RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Nível MSL — MSL 3

Fichas técnicas e recursos

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