IRS2101STRPBF vs IR2101STRPBF 比較

詳細な並列比較: IRS2101STRPBF メーカー: Infineon および IR2101STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRS2101STRPBF IR2101STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.18 $0.68
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Non-Inverting
Number of Drivers 2 2
出力数 2-OUT —
出力構成 Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V 600 V
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
動作温度 -40C to +125C -40 C to +125 C
パッケージ 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix) Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
MSLレベル — MSL 3

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