ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon y IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC151N08NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $2,65
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Encapsulado PG-TDSON-8 FL PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 8 —
Channel Mode Enhancement —
Temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Estado RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (Tj)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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