ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon et IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUS300N08S5N011TATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $2,65 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-5 (trench MOSFET) |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 300 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 375 W |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 1.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3 V (max) |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | — | 231 nC |
| Output Capacitance (C_OSS) | — | 130 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | — | 16.25 nF (typ) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Automotive Qualified | — | Yes (Infineon automotive part) |