ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC151N08NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IAUS300N08S5N011TATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 生産中
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IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC151N08NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $2.65
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (trench MOSFET)
パッケージ PG-TDSON-8 FL PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Channel Mode Enhancement —
動作温度 -55 °C to +175 °C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
動作温度範囲 — -55 C to +175 C (Tj)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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