ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC151N08NM6ATMA1 от Infineon и IAUS300N08S5N011TATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC151N08NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $2,65
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Непрерывный ток стока (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Корпус PG-TDSON-8 FL PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 8 —
Channel Mode Enhancement —
Рабочая температура -55 °C to +175 °C —
Статус RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C (Tj)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену