ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 对比

详细并排对比 ISC151N08NM6ATMA1 出自 Infineon 和 IAUS300N08S5N011TATMA1 出自 Infineon。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 量产中
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IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ 量产中

规格对比

参数 ISC151N08NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
品牌 Infineon Infineon
分类 MOSFETs MOSFETs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $0.78 $2.65
晶体管类型 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
连续漏极电流(TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 (trench MOSFET)
封装 PG-TDSON-8 FL PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 —
Channel Mode Enhancement —
工作温度 -55 °C to +175 °C —
RoHS 状态 Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
工作温度范围 — -55 C to +175 C (Tj)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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