K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WF-BITD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G085WF-BITD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,58 | $2,65 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Velocidad de datos | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | -40C to +95C |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |