K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WF-BITD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WD-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WF-BITD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.58 | $2.65 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| 데이터 속도 | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| 동작 온도 | — | -40C to +95C |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |