K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WF-BITD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $2,65 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interface | Parallel | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +95C |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |