K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WF-BITD 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WF-BITD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.58 | $2.65 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| データレート | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| パッケージ | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| 動作温度 | — | -40C to +95C |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |