K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WF-BITD por Samsung Electronics y K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,65 | $3,58 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Latencia CAS | CL19 (typical at 2666 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel, DDR4 SSTL12 | Parallel |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Velocidad de datos | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |