K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $3,58 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Latence CAS | CL19 (typical at 2666 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Interface | Parallel, DDR4 SSTL12 | Parallel |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Débit de données | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |