K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WF-BITD メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.65 | $3.58 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 動作温度 | -40C to +95C | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| CASレイテンシ | CL19 (typical at 2666 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel, DDR4 SSTL12 | Parallel |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| データレート | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |