K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WG-BCWE por Samsung Electronics y K4A4G085WF-BITD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,68 | $2,65 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Interfaz | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organización de memoria | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Latencia CAS | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |