K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WF-BITD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.68 | $2.65 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| CAS 레이턴시 | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |