K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD 比較
詳細な並列比較: K4A4G085WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WF-BITD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.68 | $2.65 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| パッケージ | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| インターフェース | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| メモリ構成 | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| CASレイテンシ | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |