K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WF-BITD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics et K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,68 | $2,65 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Boîtier | FBGA-78 (BCW) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Interface | Parallel (DDR4) | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Latence CAS | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |