K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics y H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $5,74 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulado | 78-FBGA | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto self-refresh |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |