K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $5,74 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Boîtier | 78-FBGA | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto self-refresh |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |